Переключение двух ламп 12в на транзисторах схема. Включить-выключить

Он обеспечивает открытую схему (незамкнутую), когда он находится в выключенном состоянии и обеспечивает замкнутую схему, когда находится во включенном состоянии. Это очень важная функция, без которой деятельность многих устройств была бы просто немыслима.

Другими словами, можно сказать, что выключатель обеспечивает бесконечное сопротивление или полное сопротивление во время своего выключенного состояния, и он обеспечивает нулевое сопротивление или полное сопротивление во время своего включенного состояния.

Отсюда получается, что выключатель можно назвать этаким резистором с контролируемым включением/выключением, который обеспечивает и нулевое и бесконечное сопротивление для схемы без какого-либо среднего значения. Да, возможно, кому-то подобное название покажется не самым точным, но оно более-менее передаёт суть деятельности выключателя в краткой форме.

С другой стороны, транзистор может быть рассмотрен как контролируемый резистор, ведь сопротивление между эмиттером и коллектором контролируется током в переходе базы-эмиттера. За счёт того, что ток на базе эмиттере производит контроль, сопротивление на эмиттере-коллекторе может быть установлено бесконечным, но подобным образом не получится сделать сопротивление равным нулю (результат не будет идеален). Впрочем, несмотря на то, что идеального значения не получается, это не мешает быть транзистору весьма популярным в качестве выключателя.

Транзистор обеспечивает довольно большое сопротивление для схемы, но оно не идеально бесконечно. Транзистор также обеспечивает очень маленькое сопротивление, но оно также не идеально нулевое.

В характеристиках транзистора имеется 3 области:

— область выключения;

— линейная область;

— область насыщения.

В линейной области, для того чтобы напряжение на коллекторе-эмиттере (VCE) имело широкий диапазон, ток на коллекторе (IC) сохраняется неизменным. В силу того, что напряжение имеет широкий диапазон и ток на коллекторе почти неизменный, будет очень сильная потеря энергии, если транзистор действует в этой области.

Но на практике, в выключателе, когда он выключен, напряжение, которое через него проходит, будет равно напряжению на открытой схеме, но ток при этом равен нулю, отсюда следует, что не происходит потери энергии. Подобным образом, когда выключатель включен, ток, проходящий через выключатель настолько силён, насколько силён ток на замкнутой схеме, но напряжение, которое проходит через выключатель, равно нулю, откуда следует, что также не происходит потери энергии.

Если нужно сделать так, чтобы транзистор действовал как выключатель, то нужно сделать, чтобы он работал таким образом, чтобы потери энергии во время включенного и выключенного состояния были бы близки к нулю, или очень низки. Единственный случай, когда это возможно, когда транзистор действует только в предельной области характеристик. Есть две предельные области в характеристиках транзистора. Это область выключения и область насыщения.

На рисунке, где ток на базе-эмиттере или просто ток на базе равен нулю, ток коллектора (IC) будет иметь очень маленькое неизменное значение для большого диапазона напряжения на коллекторе-эмиттере (VCE). Так что если транзистор действует с током на базе равным нулю или меньше нуля, то ток, проходящий через коллектор на эмиттер (IC) очень слабый.

Отсюда транзистор в выключенном состоянии, но в то же время, потеря энергии через транзистор (выключатель) i.e. IC x VCE несущественна в силу того, что IC очень мал. Отсюда вытекает, что транзистор работает как выключатель на открытой схеме или как выключающий переключатель.

Теперь, допустим, что транзистор подсоединён в серию с нагрузкой сопротивления RL. В нормальном состоянии напряжение, проходящее через нагрузку, является VL. Отсюда ток, проходящий через нагрузку, составляет:

Если транзистор действует с током на базе I1, для которого ток на коллекторе C1 больше, чем IL, то транзистор работает в области насыщения. Тут, для любого тока (C1), проходящего через коллектор транзистора на его эмиттер (IC), будет очень маленькое напряжение на коллекторе-эмиттере (VCE).

Отсюда следует, что в этой ситуации ток, проходящий через транзистор, настолько силён, насколько ток на нагрузке, но напряжение, проходящее через транзистор, (VCE) довольно низкое, откуда вытекает то обстоятельство, что потеря энергии в транзисторе опять несущественна.

Транзистор ведёт себя примерно как выключатель на замкнутой схеме или переключатель включения. Так что для использования транзистора как выключателя, необходимо убедиться в том, что применяемый на базе-эмиттере ток достаточно силён для того, чтобы удержать транзистор в области насыщения для обеспечения тока на нагрузке.

Как уже было сказано, потеря энергии в транзисторе, который является выключателем, очень низка, однако не равна нулю. Отсюда следует, что это не идеальный выключатель, но он приемлем для специфических устройств. Теперь, для регулирования энергии постоянного тока на входе, на нагрузке, необходимо использовать транзистор-выключатель таким образом, чтобы он периодически то включал схему, то выключал, обеспечивая тем самым желаемую энергию на выходе.

Для этого понадобится специфическая форма волны тока на базе, благодаря которой транзистор переходит в свои область выключения и область насыщения, периодически, для обеспечения тока на нагрузке. Типичная периодическая форма волны тока на базе в целом достигается за счёт импульсного генератора на базе микропроцессора.

Когда выбирается транзистор для использования в качестве выключателя, необходимо проявлять осторожность в отношении номинального значения транзистора. Дело в том, что во время включенного состояния, весь ток на нагрузке будет течь через транзистор. Если этот ток больше, чем безопасное значение способности транзистора к выдерживанию тока на коллекторе-эмиттере, то транзистор может перманентно выйти из строя из-за того, что перегреется.

Снова в выключенном состоянии, всё напряжение на открытой схеме, на нагрузке, появится в транзисторе. Транзистор должен быть в состоянии выдержать это напряжение, в противном случае переход коллектор-эмиттер будет разорван, и транзистор станет включенным, вместо того чтобы быть выключенным.

Ещё одна деталь должна быть учтена при использовании транзистора как выключателя. Приёмник тепла подходящего размера и проектирование, которое всегда необходимо для транзистора. Каждый транзистор нуждается в некотором времени для перехода из выключенного состояния во включенное состояние и наоборот.

Несмотря на то, что это самое время очень мало и оно может быть менее нескольких микросекунд, но это всё-таки не ноль. Во время периода, в течение которого выключатель находится во включенном состоянии, ток (IC) будет усиливаться, в то время как напряжение на коллекторе-эмиттере (VCE) будет падать к нулю.

Так как ток усиливается с нуля (в идеале) до своего максимума, и напряжение падает со своего максимального значения до нуля (в идеале), будет возникать момент, когда оба они будут иметь свои максимальные значения. В этой точке происходит пиковая потеря энергии.

Таким же путём происходит и максимальная потеря энергии в транзисторе, когда он переходит в выключенное состояние из включенного состояния. Отсюда следует, что максимальная потеря энергии происходит в транзисторе во время переходного периода изменения состояния, но растрата энергии всё ещё вполне средняя, так как переходный период довольно невелик.

Для работы с низкой частотой генерируемое тепло может быть средним. Но если частота работы весьма высока, то будет существенная потеря энергии и соответствующая генерация тепла. Стоит заметить, что генерация тепла не происходит только в течение переходного состояния. Она также происходит во время включенного или выключенного состояния транзистора. Однако количество тепла в течение постоянного состояния довольно мала и несущественна.

Возможно, кому-то использование транзистора в качестве выключателя покажется сложным после вышесказанного, однако это не так. Просто нужно обратить внимание на некоторые необходимые моменты и запомнить определённые вещи. Теоретическая часть, охватывающая эту тему, хоть и не маленькая, но относительно простая.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на , буду рад если вы найдете на моем еще что-нибудь полезное.

Эмиттерно-связанная логика

В логических интегральных схемах, относящихся к эмиттерно-связанной логике (ЭСЛ), для реализации логических операций и других преобразований дискретной информации используются транзисторные переключатели тока с объединенными эмиттерами.

Переключателем тока называют симметрическую схему, в которой заданный ток I 0 протекает через определенную часть переключателя в зависимости от потенциала U б , на одном из входов. Потенциал Е на другом входе имеет постоянную величину.

В отличие от уже рассмотренного ключа в переключателе тока управление осуществляется не током, а напряжением (рис. 3.11).

Рис. 3.11. Схема переключателя тока

Если U б = Е, то открыты оба транзистора и ток I 0 делится пополам для каждой ветви. Если уменьшить потенциалы U б , то при неизменном потенциале ток транзистора Т 1уменьшится. Транзистор Т 1закроется, а через транзистор Т 2будет протекать полный ток.

При увеличении потенциала базы U б возрастет потенциал эмиттеров, что приведет к уменьшению тока через транзистор Т 2. Транзистор окажется запертым и весь ток будет протекать по транзистору Т 1. Другими словами, перепад потенциала на базе около средней величины Е обеспечивает переключение тока из одного транзистора в другой.

Особенность переключателя тока состоит в том, что транзисторы всегда работают в ненасыщенном режиме – активном режиме. Это обеспечивает повышенную скорость переключения потому, что не тратится время на рассасывание заряда.

На рис. 3.12, а приведена схема двухвходовой логической ячейки, реализованная на переключателях тока.

Рис. 3.12. Схема реализована на переключателя тока, к входному транзистору Твх 1 параллельно подключен входной транзистор T вх 2: а – схема; б – передаточная характеристика Роль генератора тока выполняет токозадающий резистор R э . Эмиттеры всех транзисторов соединены в одной точке. В схеме предусмотрены два эмиттерных повторителя, реализованных на транзисторах Т 1и Т 2ирезисторах R э. n . Ячейка имеет два выхода.

– Выход 1 инвертирует сигнал и реализует функцию ИЛИ – НЕ (F 1= ).

– Выход 2 – прямой, ему соответствует логическая функция ИЛИ (F 2= х 1Ú х 2).

Передаточная характеристика для элемента ЭСЛ представлена на рис. 3.12, б.

Логический перепад достаточно высок, что позволяет сделать схемы ЭСЛ помехоустойчивыми. Эмиттерные повторители на обоих выходах ускоряют процесс зарядки емкости нагрузки. Они же ослабляют зависимость уровня напряжения от числа нагрузок.

Дальнейшее усовершенствование логических элементов на переключателях тока привело к разработке схем эмиттерно-связанной логики с эмиттерными повторителями на вход (ЭЭСЛ).

Рассмотрим схему, изображенную на рис. 2.3. Эта схема, которая с помощью небольшого управляющего тока может создавать в другой схеме ток значительно большей величины, называется транзисторным переключателем. Его работу помогают понять правила, приведенные в предыдущем разделе. Когда контакт переключателя разомкнут, ток базы отсутствует. Значит, как следует из правила 4, отсутствует и ток коллектора. Лампа не горит.

Рис. 2.3. Пример транзисторного переключателя.

Когда переключатель замкнут, напряжение на базе составляет 0,6 В (диод база-эмиттер открыт). Падение напряжения на резисторе базы составляет 9,4 В, следовательно, ток базы равен . Если, не подумав, воспользоваться правилом 4, то можно получить неправильный результат: (для типичного значения . В чем же ошибка? Дело в том, что правило 4 действует лишь в том случае, если соблюдено правило 1; если ток коллектора достиг , то падение напряжения на лампе составляет 10 В. Для того чтобы ток был еще больше, нужно чтобы потенциал коллектора был меньше потенциала земли. Но транзистор не может перейти в такое состояние. Когда потенциал коллектора-приближается к потенциалу земли, транзистор переходит в режим насыщения (типичные значения напряжения насыщения лежат в диапазоне , см. приложение Ж) и изменение потенциала коллектора прекращается. В нашем случае лампа загорается, когда падение напряжения на ней составляет 10 В.

Если на базу подается избыточный сигнал (мы использовали ток , хотя достаточно было бы иметь , то схема не тратит этот избыток; в нашем случае это очень выгодно, так как через лампу протекает большой ток, когда она находится в холодном состоянии (сопротивление лампы в холодном состоянии в 5-10 раз меньше, чем при протекании рабочего тока). Кроме того, при небольших напряжениях между коллектором и базой уменьшается коэффициент (3, а значит, для того чтобы перевести транзистор в режим насыщения, нужен дополнительный ток базы (см. приложение Ж). Иногда к базе подключают резистор (с сопротивлением, например, 10 кОм), для того чтобы при разомкнутом переключателе потенциал базы наверняка был равен потенциалу земли.

Этот резистор не влияет на работу схемы при замкнутом переключателе, так как через него протекает лишь малая доля тока .

При разработке транзисторных переключателей вам пригодятся следующие рекомендации:

1. Сопротивление резистора в цепи базы лучше брать поменьше, тогда избыточный базовый ток будет больше. Эта рекомендация особенно полезна для схем, управляющих включением ламп; так как при низком значении уменьшается и коэффициент .

Рис. 2.4. При подключении индуктивной нагрузки следует всегда использовать подавляющий диод.

О ней следует помнить и при разработке быстродействующих переключателей, так как на очень высоких частотах (порядка мегагерц) проявляются емкостные эффекты и уменьшается значение коэфициента (3. Для увеличения быстродействия к базовому резистору параллельно подключают конденсатор.

2. Если потенциал нагрузки по какой-либо причине меньше потенциала земли (например, если на нагрузке действует напряжение переменного тока или она индуктивна), то параллельно коллекторному переходу следует подключить диод (можно также использовать диод, включенный в обратном направлении по отношению к положительному потенциалу питания), тогда цепь коллектор-база не будет проводить ток при отрицательном напряжении на нагрузке.

3. При использовании индуктивных нагрузок транзистор следует предохранять с помощью диода, подключенного к нагрузке, как показано на рис. 2.4. Если переключатель разомкнут, то в отсутствие диода на коллекторе будет действовать большое положительное напряжение, скорее всего превышающее значение напряжения пробоя для цепи коллектор-эмиттер. Это связано с тем, что индуктивность стремится сохранить ток включенного состояния, протекающий от источника к коллектору (вспомните свойства индуктивностей в разд. 1.31).

Транзисторные переключатели позволяют производить переключение очень быстро, время переключения измеряется обычно долями микросекунд. С их помощью можно переключать несколько схем одним управляющим сигналом. Еще одно достоинство транзисторных переключателей состоит в том, что они дают возможность производить дистанционное «холодное» переключение, при котором на переключатели поступают только управляющие сигналы постоянного тока. (Если «гонять» сами переключаемые мощные сигналы, то при передаче их по кабелям могут возникать емкостные выбросы, а сигналы могут сильно ослабляться).

Транзистор в образе человека.

Рис. 2.5 дает представление о некоторых ограничениях, свойственных транзистору. Представим себе, что задача человека на рис. 2.5 состоит в том, чтобы обеспечивать выполнение соотношения при этом он может управлять только переменным резистором. Итак, он может создать короткое замыкание в схеме (режим насыщения), или разомкнуть ее (транзистор в выключенном состоянии), или создать какое-то промежуточное состояние; он не имеет права использовать батареи, источники тока и т.п. Не следует, однако, думать, что коллектор транзистора на самом деле похож на резистор. Это не так. Человек старается сделать так, чтобы через него все время протекал постоянный неизменный ток (величина этого тока зависит от приложенного к базе напряжения).

Рис. 2.5. «Транзисторный человек» следит за током базы и регулирует выходной реостат для того, чтобы выходной ток был в больше тока базы.

Следует помнить, что в любой заданный момент времени транзистор может:

а) быть в режиме отсечки, т.е. выключиться (отсутствует ток коллектора);

б) находиться в активном режиме (небольшой ток коллектора, напряжение на коллекторе выше, чем на эмиттере);

в) перейти в режим насыщения (напряжение на коллекторе приблизительно равно напряжению на эмиттере). Более подробно режим насыщения транзистора описан в приложении Ж.

ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ

Микросхема К162КТ1. Микросхема (рис. 6.1) содержит два транзистора типа р-n-р с общим выводом коллектора и приме­няется в прерывателях с автономным управляющим источником. Огтаточное напряжение между контактами 1 и 7 при базовом токе 2 мА составляет: К162КТ1А - 100 мкВ, К162К.Т1Б - 200 мкВ, К162КТ1 - 300 мкВ. Сопротивление между эмиттерами равно 100 Ом. Обратное напряжение база - эмиттер - 30 В а коллек­тор - база - 20 В.

Рис. 6.1 Рис. 6.2

Микросхема К101КТ1. В микросхеме применены транзисторы с проводимостью типа n-р-n (рис. 6.2). Для управления микросхемой необходимо иметь управляющий сигнал, не связанный с общей ши­ной. Остаточное напряжение между контактами 3 и 7 для групп А, В составляет менее 50 мкВ, а для групп Б, Г - менее 150 мкВ. Напряжение между эмиттерами для групп А, Б составляет 6,3 b] а для групп В, Г - 3 В. Ток через транзисторы не более 10 мА! Сопротивление между эмиттерами менее 100 Ом. Ток утечки между эмиттерами менее 10~ 8 А.

Рис. 6.3

Микросхемы К168КТ1 и К168КТ2. Эти микросхемы (рис. 6.3) применяют в качестве коммутаторов аналогового сигнала. Управ­ляемый и входной сигналы имеют общую шину. Остаточное напря­жение сток - исток менее 10 мкВ. Сопротивление открытого тран­зистора менее 100 Ом. Ток утечки сток - истбк для групп А, Б, В - менее ШиА. Ток утечки детвора не превышает 10нА. Время включения равно 0,3 мкс, а время выключения - 0,7 мкс. Допусти­мые напряжения между затвором и подложкой 30 В, а между истоком и стоком - подложкой для группы А - 10 В, для группы Б - 15 В, для группы В - 25 В.

Модулятор последовательно-параллельного типа. Работа модулятора (рис. 6.4) основана на поочередном открывании и за­крывании транзисторов. Когда импульс положительной полярности приходит на базу VT1, то транзистор открывается и через него протекает ток, значение которого определяется сопротивлением ре­зистора RL Входной сигнал проходит на выход. В следующий полупериод управляющего сигнала положительный импульс откры­вает транзистор VT2, транзистор VT1 закрывается. Выход подклю­чается к нулевой шине. Важным фактором в работе схемы являет­ся равенство остаточных напряжений. Для выравнивания этих на­пряжений служит резистор R1.

Дистанционный выключатель. В схеме выключателя (рис. 6.5, а) для открывания транзисторного ключа используется выпрямленное с помощью диода VD1 и конденсатора С1 управляющее напряже­ние. В схеме отсутствуют импульсные помехи, связанные с пере­ключением транзисторов. Управление осуществляется гармонически­ми сигналами с амплитудой 2 - 3 В. Протекающий через транзисто­ры ток создает падение напряжения. Зависимость падения напря­жения на ключе от протекающего тока показана на рис. 6,5, б.

Однополупериодный модулятор. Модулятор (рис. 6.6, а) по­строен на микросхеме К101КТ1В. Управляющий сигнал прямоуголь­ной формы с амплитудой 2 В одновременно открывает оба транзи­стора. Входной сигнал поступает на первичную обмотку выходного трансформатора. Учитывая характеристику зависимости остаточного напряжения от управляющего тока, входной сигнал должен йревы-шать значение 20 - 30 мкВ.

Остаточное напряжение можно уменьшить, подбирая управля­ющий ток, протекающий через один из резисторов. В некоторых случаях регулировкой сопротивления резистора R1 можно добиться полной компенсации остаточного напряжения. На рис. 6.6, б пред­ставлена зависимость U 0 ст от I уир для наиболее типичного случая.

Двухполупериодный модулятор. Модулятор (рис. 6.7) работает на частоте 20 кГц. Амплитуда управляющих импульсов прямоуголь­ной формы равна 4 В. В результате поочередного открывания тран­зисторов VT1 и VT2 входной сигнал попадает на разные выводы первичной обмотки Тр2. На вторичной обмотке появится сигнал прямоугольной формы с амплитудой входного сигнала.

Для уменьшения влияния остаточного напряжения на транзи­сторах в схему введены резисторы R1 и R4. С помощью резистора R1 выравниваются управляющие базовые токи, в результате чего остаточное напряжение составляет около 4 мВ. Резистор R4 ком­пенсирует это напряжение и тем самым позволяет создать модуля­тор с чувствительностью около 10 мкВ.

Компенсационный модулятор. Для уменьшения начального уров­ня в модуляторе (рис. 6.8) применяется сложная схема подачи управляющнх сигналов. Поскольку начальный уровень модуляторов определяется импульсными сигналами, которые проходят через ем­кости база - коллектор, то подстройка сводится к изменению переднего и заднего фронтов управляющих сигналов. Управляющий сигнал с амплитудой 15 В подается на первичную обмотку транс­форматора. С помощью резисторов R3 и R4 и диодов VD3 и VD4 фронты управляющих импульсов заваливаются настолько, что поз­воляют скомпенсировать помеху до уровня менее 30 мкВ.

Рис. 6.4

Рис. 6.5

Рис. 6.6

Рис. 6.7 Рис. 6.8

Производители полупроводниковых приборов разрабатывают новые, более совершенные изделия, что дает возможность радиолюбителям, в свою очередь, создавать простые компактные устройства с улучшенными параметрами, недостижимыми всего лишь несколько лет назад. Один из примеров тому пред-ставлен в публикуемой ниже статье, в которой описан мощный электронный включатель-выключатель, способный во многих случаях потеснить своего электромагнитного конкурента.

На рис. 1 представлена схема одного из вариантов мощного электронного реле, предназначенного для коммутации тока нагрузки до 20 А при напряжении 5...20 В. Устройство собрано на базе мощного п-канального транзистора МДП АРМ2556NU), имеющего сопротивление канала не более 5,7 мОм при напряжении затвор-исток 10 В или не более 10 мОм при 4,5 В. Столь малое сопротивление открытого канала позволяет с помощью этого прибора коммутировать большой ток, причем установка транзистора на теплоотвод при невысокой частоте переключения (единицы - десятки килогерц) обычно не требуется. Устройство может быть использовано, например, как электронный включатель-выключатель выходного напряжения в мощном блоке питания, мощных источников света в аккумуляторных фонарях, низковольтных электродвигателей, тяговых электромагнитов и для множества других применений.
Использование в качестве основного коммутирующего элемента мощного транзистора МДП в сравнении с электромагнитным реле позволяет получить меньшее сопротивление "замкнутых контактов", отсутствие их выгорания и искровых помех, более высокое быстродействие (при электронном управлении). Кроме того, такой электронный переключатель будет иметь меньшие габариты и массу, чем электромагнитные реле на ток 10...20 А, а также значительно меньший ток, потребляемый цепями управления.
Управлять электронным переключателем можно двумя малогабаритными кнопками без фиксации, например, герконовыми, мембранными или резиновыми с токопроводящим покрытием.

На рис. 2 для сравнения габаритов показаны электромагнитное реле С71-2А-Р фирмы Omron, контакты которого рассчитаны на коммутацию тока 20 А, и макет электронного реле на
транзисторе МДП. Электронный узел даже при относительно просторном монтаже занимает вчетверо меньший объем (кнопки и светодиод смонтированы вне платы) и значительно легче.
При подаче напряжения на вход устройства, полевой транзистор VT2 остается закрытым, подключенная к выходу нагрузка - обесточенной, светодиод НL1 - выключенным. Чтобы подать напряжение на нагрузку, необходимо на короткое время нажать на кнопку SB1. Это приведет к открыванию транзистора VТ1 и вслед за ним транзистора VT2.
О поступившем к нагрузке напряжении проинформирует включившийся светодиод HL1. Конденсаторы СЗ и С4, а также С1, С2, С5, С6 устраняют воз-можное влияние на состояние транзисторов различных помех. Диоды VD2- VD5 предназначены для принудительного выключения устройства при снижении входного напряжения примерно до 3 В, что предохраняет полевой транзистор VT2 от перегревания.
Дело в том, что столь глубокое уменьшение напряжения затвор-исток транзистора \/Т2 резко увеличивает сопротивление канала и, как следствие, выделяемую в нем тепловую мощность, особенно при большом нагрузочном токе. Для того чтобы предохранить полевой транзистор от перегревания, предусмотрена цепь R5VD2-VD5, закрывающая оба транзистора.
Варистор RU1 и стабилитрон VD1 защищают сравнительно низковольтный полевой транзистор от всплесков напряжения, например, от ЭДС самоиндукции электродвигателя, подключенного к входу или выходу устройства, или, например, от случайного повреждения статическим электричеством при прикосновении к затвору транзистора \/Т2 отверткой (или другими металличе¬скими предметами).
Для выключения устройства достаточно кратковременного замыкания контактов кнопки SB2. Управлять состоянием транзистора VT2 можно не только мало-мощными миниатюрными кнопками, но и, например, двумя оптронами или маломощными герконовыми реле. Следует отметить, что в выключенном состоянии переключатель практически не потребляет энергии.
Экспериментальный образец устройства был смонтирован на монтажной плате размерами 46x27 мм из стеклотекстолита навесным монтажом. Сильноточные цепи выполнены короткими отрезками монтажного провода сечением не менее 1,2 мм.
Транзистор АРМ2556NU в миниатюрном корпусе Т0252 допускает максимальное напряжение сток-исток 25 В. При токе стока 40 А и напряжении затвор-исток 10 В или 20 А при напряжении затвор-исток 4,5 В типовое зна¬чение сопротивления открытого канала не превышает 4,5 и 7,5 мОм соответственно. Максимально допустимый постоянный ток стока транзистора при температуре корпуса 25 °С - 60 А.
Транзистор следует припаять к теплоотводу с полезной площадью поверхности не менее 7 см/2 на случай работы при пониженном напряжении питания с большим током нагрузки. При монтаже транзистора необходимо принимать меры по его защите от пробоя статическим электричеством.
Транзисторы АРМ2556NU, предназначенные для работы в понижающих импульсных стабилизаторах напряжения, сейчас широко используют в со-временных высокопроизводительных видеокартах и компьютерных системных платах. Заменить этот транзистор можно двумя соединенными параллельно миниатюрными, но имеющими вдвое большее сопротивление открытого канала транзисторами АРМ25101NU (8,5 МОм при U3-и = 10 В) или другими аналогичными, управляемыми низким напряжением затвор-исток. При ис-пользовании транзисторов с большим чем у АРМ25561NU, сопротивлением ка-нала для сохранения малого сопротивления переключательного элемента можно включить несколько однотипных полевых транзисторов, соединенных параллельно.
Транзистор 2SA733B заменим любым из серий 2SА733. 2SА992, SS9015, КТ3107, КТ6112. Вместо BZV55С15 подойдет стабилитрон 1N744А, TZМС-15, 2С215Ж, КС215ЖА, а вместо 1N148 - диод 1 N914 (или любые из серий КД522, КД521). Светодиод - любой общего применения, желательно с повышенной светоотдачей, например, из серий КИПД40, КИПД66. Для каждого конкретного напряжения на нагрузке следует подбирать резистор с тем, чтобы не превысить номинальный ток светодиода.
Оксидные конденсаторы - К50-68, К53-19 или импортные. Остальные - К10-17, К10-50. Варистор FNR-05K220 можно заменить любым маломощным на 18...22 В, например FNR-05K180.
Безошибочно собранное из исправных деталей устройство не требует на-лаживания.
В зависимости от конкретных особенностей применения предлагаемый для повторения коммутатор можно упростить или усовершенствовать. Например, если исключены всплески напряжения со стороны источника питания или подключенной нагрузки, можно обойтись без варистора RU1. Также можно отказаться от защитного стабилитрона VD1, если напряжение источника питания не превысит 15 В и исключены всякие прикосновения к выводу затвора транзистора VT2.
Если в цепь нагрузки ввести последовательно обмотку самодельного герконового реле, разомкнутые контакты которого подключены параллельно контактам кнопки SB2, то питание нагрузки будет автоматически отключаться при увеличении потребляемого ею тока выше заданного. Для изготовления такого реле на баллон геркона КЭМЗ надо намотать несколько витков толстого (диаметром 0,7...1,2 мм) обмоточного провода. Так, например, с катушкой из семи витков провода ПЭВ-2 0,68 реле сработает при токе около 5 А. Требуемое число витков для желаемого тока срабатывания защиты для конкретного экземпляра геркона определяют экспериментально.